https://www.trendynet.it/wp-content/uploads/2025/04/localimages/memoria-velocita-chip_720.jpg,Un team dell’Università di Fudan ha sviluppato PoX, una memoria flash non volatile ultraveloce basata su grafene capace di scrivere in soli 400 picosecondi. La nuova soluzione potrebbe potenzialmente aprire nuovi scenari nel settore dell’IA e non solo…
Read More
La memoria flash più veloce al mondo è cinese: scrive in soli 400 picosecondi
More Stories
Ecco i nuovi Pixel 10 Pro: il modello XL arriva a 5.200 mAh e sale a 128 GB
Apple conferma: iOS 26 sarà azzoppato in Europa, alcune funzioni mancheranno
iPhone Fold sarà fatto così: nuove informazioni su display, fotocamere e materiali del primo pieghevole di Apple